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高能辐射f可认为1。

A、对

B、错

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在半导体材料中,载流子散射主要有两方面的原因:()和()()。

点缺陷根据位置可以分为()类。

A、1

B、2

C、3

D、4

根据GB/T175-2007,下列指标中属于选择性指标的是()

A、KH减小,SM减小,铝率增大。

B、KH增大,SM减小,铝率增大。

C、KH减小,SM增大,铝率减小。

D、KH增大,SM增大,铝率增大。

双降点

若在晶格常数相同的条件下体心立方晶格的致密度,原子半径都最小。

A、对

B、错

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